Мю (электроника)


μ {displaystyle mu } (мю) в электронике — предельно возможный коэффициент усиления напряжения активного электронного прибора — транзистора, электронной лампы или более сложного схемотехнического узла. μ {displaystyle mu } определяется как отношение (а) приращения напряжения на выходных электродах (коллектор-эмиттер, сток-исток, анод-катод) и (б) приращения управляющего напряжения (база-эмиттер, затвор-исток, сетка-катод), вызывающих одинаковое изменение выходного тока (тока коллектора, тока стока, тока анода). Усиление напряжения в μ {displaystyle mu } раз теоретически возможно лишь при бесконечно большом сопротивлении нагрузки; в реальных каскадах с конечным сопротивлением нагрузки коэффициент усиления всегда меньше μ {displaystyle mu } . Крутизна передаточной характеристики S {displaystyle S} , внутреннее сопротивление между выходными электродами R i {displaystyle R_{i}} и коэффициент усиления μ {displaystyle mu } связаны между собой уравнением параметров триода (в иностранных источниках «формула ван дер Бейла»)

μ = S r i {displaystyle mu =Sr_{i}} .

Биполярные транзисторы

Для биполярного транзистора

μ = S r c e = ( I c ϕ t ) ( U a I c ) = U a ϕ t {displaystyle mu =Sr_{ce}=left({frac {I_{c}}{phi _{t}}} ight)left({frac {U_{a}}{I_{c}}} ight)={frac {U_{a}}{phi _{t}}}} ,

где I c {displaystyle I_{c}} — ток коллектора, U a {displaystyle U_{a}} — напряжение Эрли, ϕ t {displaystyle phi _{t}} — температурный коэффициент, составляющий для кремния примерно 26 мВ при температуре +25°С. При типичных напряжениях Эрли кремниевых транзисторов и нормальной температуре μ n p n ≈ 1000...6000 {displaystyle mu _{npn}approx 1000...6000} , и μ p n p ≈ 1000...3000 {displaystyle mu _{pnp}approx 1000...3000} . Для транзисторов (в отличие от ламп) величина μ {displaystyle mu } не входит в число основных параметров и практически никогда не указывается в явном виде, так как является эквивалентом напряжения Эрли. В практических расчётах μ {displaystyle mu } применяется редко (эффектом Эрли обычно можно пренебречь) — это теоретический предел для однотранзисторного каскада с общим эмиттером или общей базой, реализуемый только на холостом ходу (без отбора мощности нагрузкой). Приблизиться к расчётному μ {displaystyle mu } в реальном усилителе можно, лишь используя активную коллекторную нагрузку на транзисторном источнике тока (резистивная нагрузка потребовала бы запредельно высокого напряжения питания).

Триоды

Для вакуумного триода

μ = 1 / D = C c k / C a k {displaystyle mu =1/D=C_{ck}/C_{ak}} ,

где D {displaystyle D} — электростатическая проницаемость управляющей сетки, C c k , C a k {displaystyle C_{ck},C_{ak}} — ёмкости сетка-катод и анод-катод. Величина μ {displaystyle mu } , обратная проницаемости, служит мерой эффективности экранирующего действия сетки: чем гуще навита сетка, что соответствует большим значениям μ {displaystyle mu } , тем слабее влияние анода на протекающий ток. μ {displaystyle mu } практически не изменяется по мере старения лампы, практически не зависит от тока накала или температуры катода, и слабо зависит от выбора рабочей точки. При нормальных отрицательных смещениях на сетке μ {displaystyle mu } практически неизменен. При положительных напряжениях на сетке μ {displaystyle mu } спадает из-за ответвления части катодного тока в цепь сетки, а при отрицательных напряжениях, близких к запирающему — из-за островкового эффекта. Наименьшие значение μ {displaystyle mu } , примерно 2..3, свойственны специализированным мощным триодам для стабилизаторов напряжения, имеющим минимально возможное выходное сопротивление. В лампах для усиления напряжения и мощности диапазон μ {displaystyle mu } простирается от примерно 4 (мощные выходные триоды прямого накала) до 120 (лампы с высоким μ {displaystyle mu } для усиления напряжения).



Имя:*
E-Mail:
Комментарий: